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                                HXY4882S
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HXY MOSFET

Hersteller:

HXY MOSFET

Mfr.Part #:

HXY4882S

Paket:

SOP-8

RoHS:
Datenblatt:

HXY4882S

Beschreibung:

Package/Enclosure : SOP-8

ECAD Model:
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Technische Produktspezifikationen

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Manufacturer,Packaging,Package / Case,Drain Source Voltage (Vdss),安装类型,Package/Enclosure,正向电流,Peak Pulse Current (Ipp)@10/1000us,Continuous Drain Current (Id),是否无铅,漏源极电压(Vdss),最大耗散功率,工作电压VR-VI(max),消耗电流,湿气敏感性等级 (MSL),Maximum Clamping Voltage,Voltage Rating,特性,Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id),品牌,技术,零电压时的消耗电流,阴极电流,Number of Lines,输出配置,Power Dissipation (Pd),功率耗散,阈值电压Vgs(th),原始制造商,总电容C,初始精度(误差),钳位电压 VC,电源线路保护,参考重量,击穿电压,集电极-基极电压(VCBO),Breakdown Voltage,击穿电流,输入类型,Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id),额定功率,栅源电压 Vgss,输出电压(最大值),功率-峰值脉冲,阈值电压,polarity,Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds),包装,连续漏极电流Id@25℃,漏源击穿电压BVDSS,无卤,印字代码,正向压降VF Min,集电极与基极之间电压 VCBO,跃迁频率,Vce饱和压降,Reverse Stand-Off Voltage (Vrwm),比率(输入:输出),Type,极性,反向传输电容Crss,集射极击穿电压Vce(Max),输出端数,Input Capacitance (Ciss@Vds),存储温度,驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn),FET类型,正向电压(Vf)(典型值),电流-连续漏极(Id)(25°C时),反向击穿电压,集电极-发射极击穿电压,连续漏极电流,漏极电流,Total Gate Charge (Qg@Vgs),长x宽/尺寸,充电电量,元件生命周期,DC正向电流(If),额定电流,反向漏电流IR,结电容值,Operating Temperature,封装/外壳,输出类型,参考源类型,输入电容,输入电容Ciss,栅极源极击穿电压,制造商标准提前期,平均整流电流IF,峰值脉冲电流(Ipp),接口,漏极电流Idss,工作温度,配置,不同Id时的Vgs(th)(最大值),反向耐压VR,系列,供应商器件封装,导通电阻 Rds(on),集电极-发射极电压 VCEO,Ifsm - 正向浪涌峰值电流,输出电压(最小值/固定),击穿电压 V(BR)-min,导通电阻,不同Vds时的输入电容(Ciss),开关类型,原产国家,不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值),最小包装,栅极电荷(Qg)(Max),脚间距,漏极电流 Id(最大值),集电极电流 Ic,不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值),极性(单双向),不同Id时的Vgs(th),FET功能,湿气敏感性等级(MSL),功率耗散(最大值),反向恢复时间(trr),输出电流,单向通道,漏源电压(Vdss),认证信息,通道数,DC电流增益(hFE)(Min&Range),故障保护,应用等级,Vce饱和压降(Max),栅极电荷(Qg),结电容,高度,零件状态,正向压降VF Max,发射极与基极之间电压 VEBO,负载电压,晶体管类型,引脚数,应用,类型,
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