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                                IXXH60N65B4H1
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IXYS IXXH60N65B4H1

Hersteller:

IXYS

Mfr.Part #:

IXXH60N65B4H1

Paket:

TO-247AD-3

RoHS:
Datenblatt:

IXXH60N65B4H1

Beschreibung:

IGBT Transistors 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT

ECAD Model:
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Technische Produktspezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert Suche ähnlich
Manufacturer IXYS
Product Category IGBT Transistors
RoHS
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Through Hole
Pd - Power Dissipation 380 W
Product Type IGBT Transistors
Package / Case TO-247AD-3
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C
Series IXXH60N65
Packaging Tube
Brand IXYS
Configuration Single
Continuous Collector Current At 25 C 116 A
Continuous Collector Current Ic Max 60 A
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Technology Si
Factory Pack Quantity 30
Subcategory IGBTs
Unit Weight 0.158733 oz
Tradename XPT
Maximum DC Collector Current,,Gate Threshold Voltage,Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage,Manufacturer,Collector-Emitter Breakdown Voltage,Product Category,Operating Temperature Range,Pd - Power Dissipation,Product Type,Package / Case,Collector- Emitter Voltage VCEO Max,Collector-Emitter Saturation Voltage,Minimum Operating Temperature,Moisture Sensitive,Series,Part # Aliases,Continuous Collector Current,Continuous Collector Current at 25 C,Continuous Collector Current Ic Max,Gate-Emitter Leakage Current,Technology,Subcategory,Unit Weight,Tradename,
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779673
1156
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10 6.67106
30 6.18453
90 5.77852
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