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                                SMUN5233T1G
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onsemi

Hersteller:

onsemi

Mfr.Part #:

SMUN5233T1G

Paket:

SC-70-3

RoHS:
Datenblatt:

SMUN5233T1G

Beschreibung:

80@5mA,10V 1 NPN - Pre Biased 202mW 100mA 50V 500nA SC-70-3 Digital Transistors ROHS

ECAD Model:
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Technische Produktspezifikationen

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DC Current Gain (hFE@Ic,Vce),Operating Temperature,Package/Enclosure,安装类型,Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib),正向电流,集电极电流Ic(最大值),电流-集电极截止(最大值),品牌,是否无铅,湿气敏感性等级 (MSL),Vce饱和值,功率耗散,Transistor Type,Output Voltage (VO(on)@Io/Ii),Transition Frequency (fT),原始制造商,集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO,基极电阻(R1),电压-集射极击穿(最大值),集电极-基极电压(VCBO),Input Resistor,电阻器-基底(R2)(欧姆),额定功率,Power Dissipation (Pd),无卤,跃迁频率,Resistor Ratio,Vce饱和压降,包装,Collector Current (Ic),长x宽/尺寸,Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo),极性,正向电压(Vf)(典型值),阈值电压Vgs(th),输入电压,集射极击穿电压Vce(Max),Collector Cut-Off Current (Icbo),存储温度,基射极电阻(R2),集电极与基极之间电压 VCBO,封装/外壳,Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce),DC正向电流(If),元件生命周期,印字代码,集电极-发射极击穿电压,Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce),工作温度,集电极电流 Ic,电阻器比率,供应商器件封装,Vce饱和值(最大值),原产国家,制造商标准提前期,不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值),集电极-发射极电压 VCEO,功率(最大值),配置,集电极-基极击穿电压 V(BR)CBO,集电极截止电流,最小包装,集射极击穿电压(最大值),湿气敏感性等级(MSL),漏源电压(Vdss),DC电流增益(hFE)(Min&Range),电流放大倍数hFE(最小值),系列,输入电阻,脚间距,Vce饱和压降(Max),零件状态,发射极与基极之间电压 VEBO,认证信息,电阻器-发射极基底(R3)(欧姆),高度,晶体管类型,引脚数,
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