Infineon Technologies BSC014N04LSI
40V 195A 1.45m@10V,50A 2.5W 2V@250uA TDSON-8-EP5.1x5.9 MOSFETs ROHS

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Paket:TDSON-8FL













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| Attribut | Wert |
|---|---|
| Hersteller.Part.# | BSC014N04LSI |
| Hersteller | Infineon |
| Produktkategorie | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 180pF |
| Type | N-channel |
| Drain to Source Voltage | 40V |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V@250uA |
| Pd - Power Dissipation | 96W |
| Gate Charge(Qg) | 77nC@10V |
| Output Capacitance(Coss) | 1.68nF |
| Current - Continuous Drain(Id) | 195A |
| RDS(on) | 1.45mΩ@10V |
| Input Capacitance(Ciss) | 5.6nF |
| Package | TDSON-8FL |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 5000 |
| Weight | 0.188 |
Low on-state resistance : Ensures minimal conduction losses, enhancing overall system efficiency.
High switching speed : Supports high-frequency operation, suitable for advanced power management applications.
Compact package : Designed for space-saving in PCB layouts while maintaining thermal performance.
Integrated gate driver : Simplifies designs by reducing component count while improving drive capabilities.
Robust thermal performance : Manages heat effectively, ensuring reliable operation under demanding conditions.
Power supply units : Utilized in AC-DC and DC-DC converters for efficient power management.
Electric vehicles : Applied in battery management systems and motor control for optimized energy usage.
Renewable energy systems : Essential in solar inverters for maximum energy conversion efficiency.
Industrial automation : Found in drive systems, providing reliability in automated processes.
Consumer electronics : Used in high-performance electronic devices for power efficiency.
Thermal management : Ensure adequate cooling solutions to maintain operational efficiency under high load conditions.
Gate drive design : Proper gate resistance can optimize switching performance and minimize EMI.
Parasitic inductance : Keep lead lengths short in PCB layout to reduce ringing and enhance reliability.
Power ratings : Verify maximum ratings for voltage and current to prevent device stress during peak operations.
Switching frequency : Choose appropriate operational frequencies to balance efficiency and thermal performance.
Q: What is the maximum gate-to-source voltage for the BSC014N04LSI?
A: The maximum gate-to-source voltage is ±20V.
Q: Can this MOSFET be used in high-temperature environments?
A: Yes, it is designed to operate in high-temperature conditions but should be monitored for thermal effects.
Q: What is the typical R_DS(on) value of this device?
A: The typical R_DS(on) value is around 4 mΩ, ensuring low conduction losses.
Q: Is there a built-in protection feature?
A: No, the BSC014N04LSI does not have built-in protection; external components are recommended for safeguarding.
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