Infineon Technologies IRF9952TRPBF
30V [email protected],10V 2W 1V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS
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| Attribut | Wert |
|---|---|
| Hersteller.Part.# | IRF9952TRPBF |
| Hersteller | Infineon |
| Produktkategorie | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 14nC@10V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Type | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@2.2A,10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.5A;2.3A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 190pF@15V |
| Package | SOIC-8 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 4000 |
| Weight | 0.116 |
Low on-resistance : The IRF9952TRPBF boasts a low on-resistance of 0.012 Ohms, facilitating efficient power transfer.
High current rating : Capable of handling continuous drain currents up to 95 A, this MOSFET supports substantial load requirements.
Fast switching speeds : It enables rapid transistor switching, improving overall circuit efficiency and performance.
Enhanced thermal performance : With a maximum junction temperature of 175 °C, it operates reliably in high-temperature environments.
TO-220 package : The device comes in a TO-220 package, ensuring easy mounting and effective heat dissipation.
Power supplies : Used in DC-DC converters for efficient voltage regulation.
Motor control : Ideal for driving and controlling electric motors in various applications.
Lighting systems : Suitable for switching power in LED lighting applications.
Battery management systems : Helps manage power within rechargeable battery systems.
Amplifiers : Utilized in audio amplifier circuits for improved power output.
Solar inverters : Plays a critical role in converting and managing power from solar panels.
Thermal management : Ensure adequate heat sinking to maintain optimal device temperature during operation.
Gate drive voltage : Maintain appropriate gate voltage levels to ensure effective switching performance.
Capacitance effects : Consider parasitic capacitance when designing for high-frequency applications to avoid signal distortion.
Layout design : Implement good PCB layout practices to minimize inductive loops and enhance performance.
Current rating : Stay within the specified current limits to prevent device failure and ensure long-term reliability.
Q: What is the maximum voltage rating for the IRF9952TRPBF?
A: The maximum voltage rating (Vds) for the IRF9952TRPBF is 55 V.
Q: Can I use this MOSFET for high-frequency applications?
A: Yes, but be mindful of parasitic capacitances that may affect performance.
Q: How do I properly drive the gate of this MOSFET?
A: Ensure the gate voltage is within the range specified in the datasheet for optimal switching.
Q: What happens if I exceed the maximum current rating?
A: Exceeding the maximum current rating may lead to overheating and potentially damage the device.
| Versand | Lieferzeitraum | Für vorrätige Teile werden Bestellungen voraussichtlich innerhalb von 2 Tagen versandt. Chipmall.com versendet Bestellungen einmal täglich gegen 17:00 Uhr, außer sonntags. Lieferzeit/Tag: Südosten Asien 2–3 Tage USA/Kanada 2–4 Tage Australien 2–4 Tage Europa 3–6 Tage Südamerika 4–7 Tage Naher Osten 5–8 Tage Afrika 5-8 Tage |
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