Infineon Technologies IRFS4410ZTRLPBF
100V 97A 7.2m@10V,58A 230W 2V@150uA 1 N-Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
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Paket:TO-263-2
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| Attribut | Wert |
|---|---|
| Hersteller.Part.# | IRFS4410ZTRLPBF |
| Hersteller | Infineon |
| Produktkategorie | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Type | N-channel |
| RDS(on) | 9mΩ@10V,58A |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Drain to Source Voltage | 100V |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Number | 1 N-Channel |
| Input Capacitance(Ciss) | - |
| Current - Continuous Drain(Id) | 97A |
| Pd - Power Dissipation | 230W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V@150uA |
| Output Capacitance(Coss) | 340pF |
| Package | TO-263-2 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 800 |
| Weight | 2.058 |
High Efficiency: Low on-resistance of 4.5 mΩ at a gate voltage of 10V, ensuring reduced energy loss.
Fast Switching: Capable of high-speed switching, improving overall system performance in power applications.
High Current Rating: Can handle continuous drain currents of up to 110A, providing excellent current handling capabilities.
Low Gate Charge: Gate charge (Qgs) of 40 nC allows for efficient drive and reduced power consumption in gate drive circuits.
Compact Package: Available in a DPAK package, optimizing space in circuit layouts while maintaining thermal performance.
Power Supplies: Utilized in DC-DC converters for efficient power management systems.
Automotive Applications: Perfect for electric vehicle systems, including battery management and motor control.
Renewable Energy: Applied in solar inverters to enhance energy conversion efficiency.
Industrial Equipment: Used in drives and automation systems requiring reliable switching performance.
Consumer Electronics: Integrated into chargers and power adapters for efficient power delivery.
Thermal Management: Adequate heat sinking is essential to maintain operating temperatures below the maximum junction temperature to ensure reliability.
Gate Drive Voltage: Ensure proper gate drive voltage is supplied (typically 10V) to achieve optimal performance and minimize Rds(on).
Switching Frequency: Account for device switching times and delays in applications requiring high-frequency operations to prevent inefficiencies.
Parallel Operation: When paralleling multiple devices, ensure current sharing to avoid thermal runaway situations due to differing Rds(on) values.
Layout Design: Proper PCB layout with minimized loop areas is critical to reduce parasitic inductances and improve switching performance.
Q: What happens if the gate voltage is too low?
A: Insufficient gate voltage can result in higher on-resistance and inadequate switching performance, leading to increased heat generation.
Q: Can I use this MOSFET for high-frequency applications?
A: Yes, but ensure to consider switching speeds and associated losses in your design to maintain efficiency.
Q: What is the maximum operating temperature?
A: The maximum operating temperature is 175°C; ensure to manage thermal conditions to avoid damage.
Q: Is it suitable for use in automotive applications?
A: Yes, it is designed to withstand harsh automotive conditions and support high reliability in power systems.
| Versand | Lieferzeitraum | Für vorrätige Teile werden Bestellungen voraussichtlich innerhalb von 2 Tagen versandt. Chipmall.com versendet Bestellungen einmal täglich gegen 17:00 Uhr, außer sonntags. Lieferzeit/Tag: Südosten Asien 2–3 Tage USA/Kanada 2–4 Tage Australien 2–4 Tage Europa 3–6 Tage Südamerika 4–7 Tage Naher Osten 5–8 Tage Afrika 5-8 Tage |
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| Garantie | Für alle Einkäufe bei Chipmall.com gilt ein 30-tägiges Geld-zurück-Rückgaberecht sowie eine 365-tägige Chipmall.com-Garantie gegen etwaige Herstellungsfehler. Diese Garantie gilt nicht für Artikel, die Mängel aufweisen durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden | |
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